HS16F3211单片机技术规范与功能模块说明

栏目:产品资讯 发布时间:2025-11-12
CMOS工艺设计的8位单片机
2K×16-bit FLASH存储器
128字节EEPROM
128字节SRAM

HS16F3211是一款基于低功耗高速CMOS工艺设计的8位单片机,其内部集成有2K×16-bit FLASH存储器、128字节EEPROM以及128字节SRAM。该芯片包含3路12位PWM控制通道和3路8位PWM输出接口,并支持可配置端口比较器模块设计。

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CPU特性:

42条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期

14位宽指令,8位宽数据路径,5级深度硬件堆栈

支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用

2K×14的程序存储器

128 × 8位 EEPROM数据存储区,128 × 8位通用寄存器

直接、间接寻址方式

拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器(TMR0)

拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器(TP0)

拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器(TC0)

3路由TC0控制的8位PWM及BUZ

1组带死区的12位PWM,可配置为3路12位PWM

可配置的端口比较器资源

内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(BOR)

上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST)

看门狗定时器(WDT)使用内部晶振可靠性高,由软件使能或禁止

2组I/O口,可配置上拉、下拉和开漏等状态

4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式

唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒

唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒

省电休眠模式,可编程代码保护

可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器

7种可用中断:TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断

宽工作电压范围:2.2V至5.5V

应用:电机控制、智能照明系统、家电控制模块、玩具与遥控设备、便携式医疗设备、车身控制模块等。