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FMB30H150SL 富满微/FM MOS
30V,150A 场效应管
RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
FMB30H120SL 富满微/FM MOS
30V,123A 场效应管
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
FMB30H100SL 富满微/FM MOS
30V,109A 场效应管
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
HT91808 24位, 96kHz音频转换器
Sampling Rate: 8 kHz–96 kHz
System Clock: 256 fS, 384 fS, 512 fS
Resolution: 24 Bits
TSSOP14 Package
System Clock: 256 fS, 384 fS, 512 fS
Resolution: 24 Bits
TSSOP14 Package
HT81696 25W立体声D类音频功放
VBAT供电范围：2.7V至VOUT
内置升压电路：可调节的升压值和升压限流
保护功能：过流/过热/欠压异常/过压保护功能
无铅无卤封装，ETSSOP28
内置升压电路：可调节的升压值和升压限流
保护功能：过流/过热/欠压异常/过压保护功能
无铅无卤封装，ETSSOP28
sophieyang@wintec-semi.com
广东省深圳市南山区深南大道海岸时代大厦东B座23楼2303