
ATR2037 是一款应用于无线通信射频前端,工作频段为 0.7 到 6GHz 的超低噪声放大器。 该低噪声放大器采用先进的 GaAs pHEMT 工艺设计和制作,该低噪声放大器在整个工作频段 内可以获得非常好的射频性能,超低噪声系数,高的功率增益以及非常高的线性度,非常适合 在有高干扰的环境中使用,可以使得无线通信系统获得非常优秀的灵敏度。 该芯片的工作带宽可以覆盖 0.7 到 6GHz,外围器件简单即可以达到射频性能最优。芯片 功能模块示意图如下,该芯片采用 2×2 mm,8-pin DFN 封装,芯片集成了有源偏置电路,可 以降低工艺偏差和温度变化对芯片性能的影响,并可以通过强制调整输入端的工作电压来调整 芯片的工作电流,根据性能需求可以增加或者减小芯片的工作电流达到系统的应用要求。芯片 的电源供电通过 RFOUT/VDD 进入,RFIN 和 RFOUT/VDD 需要连接隔直电容以保证其对应的 直流工作点不会受到影响。芯片内部集成关断电路,在芯片需要进入低功耗模式时,可以开启使能降低芯片功耗。
芯片主要特征
超宽工作带宽:0.7GHz-6GHz
工作频段内超低噪声系数,0.4dB @1950MHz
高增益,高稳定性
高 OIP3:工作频段内 OIP3=+38dBm@1950MHz
芯片工作电流从 30mA 到 100mA 可调
芯片采用单电源供电,集成使能控制电路
宽的工作电压:3V-5V
内部集成温度和工艺稳定的有源偏置
采用 DFN2×2mm 封装
主要应用方向
LTE,GSM,WCDMA,HSDPA 等宏基站和微基站
应用于 L 和 S 波段的超低噪声接收机
蜂窝中转站,DHS 和 RRH 等终端设备
TDD 和 FDD 系统
环境温度会高达 105 度的收发机