FMB30H100SL 富满微/FM N 沟道沟槽功率 MOSFET
30V、109A
RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术
提供出色的 RDS(ON)和低栅极电荷
100% 通过 UIS 测试
液晶电视
笔记本电脑
电梯
感应加热
电动工具
宽带