FMB30H100SL 富满微/FM MOS

产品分类 > MOS > FMB30H100SL 富满微/FM MOS

FMB30H100SL 富满微/FM MOS

30V,109A 场效应管
RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术

FMB30H100SL 富满微/FM N 沟道沟槽功率 MOSFET

特点

30V、109A

RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V

RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V

先进的沟槽技术

提供出色的 RDS(ON)和低栅极电荷

100% 通过 UIS 测试

应用

液晶电视

笔记本电脑

电梯 

感应加热

电动工具

宽带

image.png

image.png