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FMB30H100SL 富满微/FM MOS

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FMB30H100SL 富满微/FM MOS

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30V,109A 场效应管
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术

FMB30H100SL 富满微/FM N 沟道沟槽功率 MOSFET

特点

30V、109A

RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V

RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V

先进的沟槽技术

提供出色的 RDS（ON）和低栅极电荷

100% 通过 UIS 测试

应用

液晶电视

笔记本电脑

电梯 

感应加热

电动工具

宽带

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