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FMB30H120SL 富满微/FM MOS

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FMB30H120SL 富满微/FM MOS

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30V,123A 场效应管
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术

FMB30H120SL N 沟道沟槽功率 MOSFET

特点

30V、123A

RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V

RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V

先进的沟槽技术

提供出色的 RDS(ON)和低栅极电荷

100% 通过 UIS 测试

应用

液晶电视

笔记本电脑

电梯  感应加热

电动工具

宽带

image.png

包装标记和订购信息
image.png
绝对最大额定值（TC=25℃，另有说明除外）
image.png


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