FMB30H150SL 富满微/FM MOS

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FMB30H150SL 富满微/FM MOS

30V,150A 场效应管
RDS(ON)=2.4mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.2mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先进的沟槽技术

FMA30H150SL N 沟道沟槽功率 MOSFET

特点

30V、150A

RDS(ON)=2.4mΩ(典型值)@ VGS =10V

RDS(ON)=4.2mΩ(典型值)@ VGS =4.5V

先进的沟槽技术

提供出色的 RDS(ON)和低栅极电荷

100% 通过 UIS 测试

应用

液晶电视

笔记本电脑

电梯

感应加热

电动工具

宽带

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包装标记和订购信息
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绝对最大额定值(TC=25℃,另有说明除外)
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