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IRFH7004TRPBF

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IRFH7004TRPBF

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英飞凌N沟道场效应管
封装 / 箱体：PQFN-8
Id-连续漏极电流：259 A

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FMB30H120SL 富满微/FM MOS

30V,123A 场效应管 RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V 先进的沟槽技术

【HJ015N03G】30V N-Channel SGT Power MOSFET

先进的SGT技术以低栅极电荷提供优异的RDS（ON）。 本装置适用于负载开关和蓄电池保护应用程序。

【HJ020N04G】40V N-Channel SGT Power MOSFET

先进的SGT技术以低栅极充电提供出色的RDS（ON） 该装置适用于负载开关和电池保护应用

FMB30H100SL 富满微/FM MOS

30V,109A 场效应管 RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V 先进的沟槽技术

【HJ013N10TL】N-MOSFET TOLL 100V,330A,1.1mΩ

采用先进的SGT技术 极低导通电阻RDS（on） 优秀栅极电荷x RDS（on）产品（FOM）

FMB30H150SL 富满微/FM MOS

30V,150A 场效应管 RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V 先进的沟槽技术
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