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IRFH7004TRPBF

英飞凌N沟道场效应管
封装 / 箱体：PQFN-8
Id-连续漏极电流：259 A
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STWBC2-HP数字控制器

数字控制器，用于Qi认证的无线电力发射器
符合WPC 1.3标准
功率等级：0 BPP (5W) 和 EPP (15W)
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【HJ013N10TL】N-MOSFET TOLL 100V,330A,1.1mΩ

采用先进的SGT技术
极低导通电阻RDS（on）
优秀栅极电荷x RDS（on）产品（FOM）
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【HJ020N04G】40V N-Channel SGT Power MOSFET

先进的SGT技术以低栅极充电提供出色的RDS（ON）
该装置适用于负载开关和电池保护应用
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【HJ015N03G】30V N-Channel SGT Power MOSFET

先进的SGT技术以低栅极电荷提供优异的RDS（ON）。
本装置适用于负载开关和蓄电池保护应用程序。
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进口料型号表（货期1-2周）

2025年4月15日更新库存信息
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ATR2652S: GNSS全频段低噪声放大器

工作电流 4.5mA
宽工作电压：1.5-3.6V
内部集成温度和工艺稳定的有源偏置
封装： SOT23-6
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ATR2652: GNSS全频段低噪声放大器芯片（导航LNA）

工作带宽：GNSS 全频段
带内增益平坦度小于 0.5dB
芯片工作电流 4.5mA
封装:DFN
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AT9880B 北斗单模卫星定位SOC芯片

支持北斗二号/三号
支持单北斗单频/双频/多频接收
支持 A-BDS
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HS6601L_非定频雷达芯片

CMOS 工艺，低功耗
内置LDO输出3.3V或2.5V
SOP8 封装
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HS6601MX_非定频雷达芯片

CMOS 工艺，低功耗
内部滤波算法可有效抑制干扰
SOP8 封装
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HS6601H_非定频雷达芯片

供电电压范围宽： 6-40V
内置 LDO 输出：3.3V、4.4V 或 5.0V
SOP8 封装
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杨小姐
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